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FQPF12N60C

FQP12N60C / FQPF12N60C

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Componenti Elettronici,Componentes Pasivos,Strumenti Di Sviluppo,Accessori&Sviluppo,Protezione Di Circuiti,Lampada LED,Sensori,Elettromeccanici,Prove&Misure,Pezzi di ricambio per telefoni cellulari,Fibra ottica

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Estado de existencia: 151392

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  • La Encapsulación: TO-220
  • Marca: FSC
  • Corriente de drenaje (Máx): 12 A
  • Frecuencia (Máx): Not Required MHz
  • Voltaje Puerta-Fuente (Máx): ±30(V)
  • Potencia de salida (Máx): Not Required W
  • Disipación de potencia: 51(W)
  • Montaje: Through Hole
  • Figura de ruido: Not Required dB
  • Drain-Source On-Res: 0.65(ohm)
  • Rango de temperatura de funcionamiento: -55C to 150C
  • Tipo de paquete: TO-220F
  • Embalaje: Rail/Tube
  • Recuento de pines: 3 +Tab
  • Polaridad: N
  • Tipo: Power MOSFET
  • Cantidad de elementos: 1
  • Clasificación de temperatura de funcionamiento: Military
  • Modo de canal: Enhancement
  • Drenar Eficiencia: Not Required %
  • Drain-Source On-Volt: 600(V)
  • Ganancia de poder: Not Required dB
  • Rad endurecido: No
  • Corriente de drenaje continuo: 12(A)
  • ≥1: US $0.40541 US $0.36487
  • ≥10: US $0.36487 US $0.32838
  • ≥100: US $0.32433 US $0.29189
  • ≥1000: US $0.31419 US $0.28277
  • ≥2500: US $0.30406 US $0.27365
  • ≥5000: US $0.29392 US $0.26453
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Utsource es una plataforma online de componentes electrónicos de todo el mundo que reúne a muchos proveedores increíbles. Utsource ofrece un servicio FBU (Fulfillment by Utsource), un servicio integrado para usuarios SME (Small and medium enterprises). Características gran efectividad, muy rápido, seguro y conveniente.

  • Eficiencia alta
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These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe,

DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide  superior

switching performance,and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well

suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on

half bridge topology.

 

2. Features    

>12A, 600V, RDS(on) = 0.65@VGS= 10 V

> Low gate charge ( typical  48 nC)

> Low Crss ( typical  21 pF)

> Fast switching

>100% avalanche tested

> Improved dv/dt capability

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