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IRF520NPBF

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB

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  • La Encapsulación: TO-220
  • Marca: International Rectifier
  • Código de fecha: 15+
  • Corriente de drenaje (Máx): 9.7 A
  • Frecuencia (Máx): Not Required MHz
  • Voltaje Puerta-Fuente (Máx): ±20(V)
  • Potencia de salida (Máx): Not Required W
  • Disipación de potencia: 48(W)
  • Montaje: Through Hole
  • Figura de ruido: Not Required dB
  • Drain-Source On-Res: 0.2(ohm)
  • Rango de temperatura de funcionamiento: -55C to 175C
  • Tipo de paquete: TO-220AB
  • Recuento de pines: 3 +Tab
  • Polaridad: N
  • Tipo: Power MOSFET
  • Cantidad de elementos: 1
  • Clasificación de temperatura de funcionamiento: Military
  • Modo de canal: Enhancement
  • Drenar Eficiencia: Not Required %
  • Drain-Source On-Volt: 100(V)
  • Ganancia de poder: Not Required dB
  • Rad endurecido: No
  • Corriente de drenaje continuo: 9.7(A)
  • ELIMINADO: Compliant
  • Embalaje: Rail/Tube
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  • ≥100: €0.45218 €0.42505
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Type N channel of FET type
Technology MOSFET (metal oxide)
Leakage source voltage (Vdss) 100V
- continuous drain current (Id) (at 25 ° C) 9.7 A (Tc)
Drive voltage (maximum Rds On, minimum Rds On) 10V
Vgs (th) at different ids (th)
Grid charge (Qg) (maximum) at different Vgs (maximum)
Input capacitance (Ciss) at different Vds (maximum) 330pF 25v
Vgs (maximum) plus or minus 20V
FET function -
Power dissipation (maximum) 48W (Tc)
For different ids, Rds On (maximum) of Vgs is 200 millioor 5.7 A, 10V
Working temperature and 55 ° C to 175 ° C (TJ)
Install type through hole
Supplier components package TO-220AB
Package/shell TO-220-3
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IRF520NPBF MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB

Manual de datos

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET? power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

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