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UniFET? N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFET? MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II? MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress. UniFET? MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

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  • La Encapsulación: TO-3P
  • Marca: FSC
  • Código de fecha: 16+
  • Tipo de canal: N
  • Corriente máxima de drenaje continuo: 23 A
  • Voltaje máximo de la fuente de drenaje: 400 V
  • Resistencia máxima de la fuente de drenaje: 190 mΩ
  • Voltaje mínimo del umbral de la compuerta: 3V
  • Voltaje máximo de la fuente de la compuerta: -30 V, +30 V
  • Tipo de paquete: TO-3PN
  • Tipo de montaje: Through Hole
  • Configuración del transistor: Single
  • Recuento de pines: 3
  • Modo de canal: Enhancement
  • Categoría: High Voltage
  • Disipación de potencia máxima: 235 W
  • Voltaje del diodo hacia adelante: 1.5V
  • Cantidad de elementos por chip: 1
  • Anchura: 5mm
  • Tiempo de retardo de apagado típico: 250 ns
  • Transconductancia hacia adelante: 29S
  • Temperatura de funcionamiento máxima: +150 °C
  • Serie: UniFET
  • Altura: 20.1mm
  • Longitud: 16.2mm
  • Dimensiones: 16.2 x 5 x 20.1mm
  • Material del transistor: Si
  • Tiempo típico de retardo de encendido: 90 ns
  • Capacitancia de entrada típica @ Vds: 2280 pF @ 25 V
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
  • Cargo típico de puerta @ Vgs: 46 nC @ 10 V
  • ≥1: €2.22424 €2.00182
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UniFET? N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFET? MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II? MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress. UniFET? MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

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