Acceder

3. Presione "centro de cuenta" -> "Mis consultas" y revise el estado de sus consultas

Dear customers, due to the implementation of the GDPR policy in Europe, UTSOURCE has also made adjustment accordingly to meet the policy requirements. Please read the new privacy policy carefully and this window will no longer pop up after you accept it.

Estoy de acuerdo con todos los términos y condiciones de UTSOURCE,Privacidad y términos legales
Agree Later Entregar

RJP30H1DPD

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

0

0 out of 5 stars

1 star 0%
2 star 0%
3 star 0%
4 star 0%
5 star 0%
Ventas21
Envío gratis

Estado de existencia: 75848

Mínimo:1

Precio :
€0.53
Añadir al carrito de compra
  • La Encapsulación: TO-252
  • Marca: Renesas
  • ≥1: €0.53 €0.47
  • ≥10: €0.44 €0.39
  • ≥100: €0.42 €0.38

UTSOURCE Oficial

Ofrecemos productos de alta calidad, servicios pensados en el cliente y garantía post-venta

  • image

    Tenemos productos de calidad que se ajustarán a sus necesidades.

  • image

    La cantidad mínima del pedido es de una pieza y el valor del pedido debes ser superior a 10.00$US

  • image

    Los envíos internacionales más baratos, comienzan en 2.00$US (para direcciones registradas)

  • image

    Garantía de calidad de 60 días en todos los productos

Una gran variedad en nuestro inventario, puede encontrar cualquier componente electrónico de las principales empresas del mundo

Alternate Text

Variedad de métodos de pago

Alternate Text

Variety of logistics options,fast and cheap

  • USA / Canada / Mexico Europe Australia / New Zealand Asia
  • image $ 20.00 $ 25.00 $ 22.00~ 25.00 $ 18.00~ 22.00
  • image $ 2.00 $ 4.00 $ 4.00 $ 4.00

Free Fedex - order over $69.9/ $99.9

Free Post - order over $19.9

Eficacia en los pedidos, preguntas sobre el servicio disponibles

1. Description

This device is a N-channel Power MOSFETs made using the second generation of MDmesh? technology. 

This revolutionary transistor associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one 

of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high 

efficiency converters.


 2.  Features

> Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

> High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ.

> Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V typ.

> Low leak current: ICES = 1 A max. 


Comentarios

No reviews for now

Payment Method

  • Costos de Paypal

    €0.00 Costos de servicio.

  • Pagar mediante crédito

    €0.00 Costos de servicio.

  • Costos de la transferencia de cable del banco

    €12.19 Costos del banco.

  • Costos de Western Union

    €0.00 Costos de servicio.

  • Moneygram Charge

    €0.00 Costos de servicio.

  • WebMoney Charge

    €0.00 Costos de servicio.

  • ptmImage

    PayTM Charge

    Rs 0.00 service fee.Only for users from India

Embalaje

  • Paso1:Productos

  • Paso2:Ponerse en el tubo

  • Paso3:Embalaje antiestático

  • Paso4:Caja de embalaje

  • Paso5:Etiqueta del código de barras del transporte

RJP30H1DPD
  • RJP30H1DPD
  • RJP30H1DPD
  • RJP30H1DPD
service support

Copyright © 2018 Power by UTSOURCE HOLDING COMPANY LIMITED