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IRF7403PBF

Categoria de produto: Componentes Electrónicos

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Description

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET? power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Parámetros

  • Tipo de canal: N
  • Corriente máxima de drenaje continuo: 8.5 A
  • Voltaje máximo de la fuente de drenaje: 30 V
  • Resistencia máxima de la fuente de drenaje: 22 mΩ
  • Voltaje máximo del umbral de la compuerta: 1V
  • Voltaje mínimo del umbral de la compuerta: 1V
  • Voltaje máximo de la fuente de la compuerta: -20 V, +20 V
  • Tipo de paquete: SOIC
  • Tipo de montaje: Surface Mount
  • Configuración del transistor: Single
  • Recuento de pines: 8
  • Modo de canal: Enhancement
  • Categoría: Power MOSFET
  • Disipación de potencia máxima: 2.5 W
  • Capacitancia de entrada típica @ Vds: 1200 pF@ 25 V
  • Tiempo típico de retardo de encendido: 10 ns
  • Cargo típico de puerta @ Vgs: 57 nC @ 10 V
  • Tiempo de retardo de apagado típico: 42 ns
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
  • Material del transistor: Si
  • Altura: 1.5mm
  • Serie: HEXFET
  • Temperatura de funcionamiento máxima: +150 °C
  • Longitud: 5mm
  • Dimensiones: 5 x 4 x 1.5mm
  • Cantidad de elementos por chip: 1
  • Anchura: 4mm

Tabla Bilingüe

  • Channel Type: N
  • Maximum Continuous Drain Current: 8.5 A
  • Maximum Drain Source Voltage: 30 V
  • Maximum Drain Source Resistance: 22 mΩ
  • Maximum Gate Threshold Voltage: 1V
  • Minimum Gate Threshold Voltage: 1V
  • Maximum Gate Source Voltage: -20 V, +20 V
  • Package Type: SOIC
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Transistor Configuration: Single
  • Pin Count: 8
  • Channel Mode: Enhancement
  • Category: Power MOSFET
  • Maximum Power Dissipation: 2.5 W
  • Typical Input Capacitance @ Vds: 1200 pF@ 25 V
  • Typical Turn-On Delay Time: 10 ns
  • Typical Gate Charge @ Vgs: 57 nC @ 10 V
  • Typical Turn-Off Delay Time: 42 ns
  • Minimum Operating Temperature: -55 °C
  • Transistor Material: Si
  • Height: 1.5mm
  • Series: HEXFET
  • Maximum Operating Temperature: +150 °C
  • Length: 5mm
  • Dimensions: 5 x 4 x 1.5mm
  • Number of Elements per Chip: 1
  • Width: 4mm
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Description

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC Tube

Parámetros

  • Corriente de drenaje (Máx): 8.5 A
  • Frecuencia (Máx): Not Required MHz
  • Voltaje Puerta-Fuente (Máx): ±20(V)
  • Potencia de salida (Máx): Not Required W
  • Disipación de potencia: 2.5(W)
  • Montaje: Surface Mount
  • Figura de ruido: Not Required dB
  • Drain-Source On-Res: 0.022(ohm)
  • Rango de temperatura de funcionamiento: -55C to 150C
  • Tipo de paquete: SOIC
  • Embalaje: Rail/Tube
  • Recuento de pines: 8
  • Polaridad: N
  • Tipo: Power MOSFET
  • Cantidad de elementos: 1
  • Clasificación de temperatura de funcionamiento: Military
  • Modo de canal: Enhancement
  • Drenar Eficiencia: Not Required %
  • Drain-Source On-Volt: 30(V)
  • Ganancia de poder: Not Required dB
  • Rad endurecido: No
  • Corriente de drenaje continuo: 8.5(A)
  • ELIMINADO: Compliant

Tabla Bilingüe

  • Drain Current (Max): 8.5 A
  • Frequency (Max): Not Required MHz
  • Gate-Source Voltage (Max): ±20(V)
  • Output Power (Max): Not Required W
  • Power Dissipation: 2.5(W)
  • Mounting: Surface Mount
  • Noise Figure: Not Required dB
  • Drain-Source On-Res: 0.022(ohm)
  • Operating Temp Range: -55C to 150C
  • Package Type: SOIC
  • Packaging: Rail/Tube
  • Pin Count: 8
  • Polarity: N
  • Type: Power MOSFET
  • Number of Elements: 1
  • Operating Temperature Classification: Military
  • Channel Mode: Enhancement
  • Drain Efficiency: Not Required %
  • Drain-Source On-Volt: 30(V)
  • Power Gain : Not Required dB
  • Rad Hardened: No
  • Continuous Drain Current: 8.5(A)
  • DELETED: Compliant

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